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肖特基二极管与快恢复二极管区别?

随着肖特基二极管与快恢复二极管的使用范围增大,想知道区别的人也更多,鑫沐电子整理一份怎么区分两种二极管,以下仅作为个人观点:

1. 结构原理不同,肖特基二极管是贵重金属和n型半导体结合成,快恢复二极管是普通pn结加了个薄基区,具体结构去查资料
2. 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。  肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向
恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
3. 肖特基二极管反向击穿电压大多不高于60V,最高仅约100V,限制其使用快恢复二极管反向峰值可以到几百到几千伏,因此像在开关电源变压器次级用100V以上的高频整流二极管等只有使用快速恢复(UFRD)。
4肖特基正向导通压降仅0.4V左,快回复二级馆0.6伏, 总的来说,由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管采用掺金的制造工艺,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件

 

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