半导体放电管是一种双向二端半导体器件，其内部机构与双向晶闸管十分相似，但没有触发门，是电压自触发器件。它是在单晶片两面同时采用平面工艺掺杂同种杂质而形成的两面结构完全相同的器件。选用不同的材料和工艺，可以做出各种不同的电压和电流的放电管
固体放电管是基于晶闸管原理和构造的一种两端负阻器材。能够吸收突波，按捺过高电压，达到维护易损组件的目的。该器材是在硅单晶片两面一起掺杂同种杂质而构成。选用不一样的材料和工艺，能够做出各种不一样电压和电流的放电管。
固体放电管的作业原理和一个两端的可控硅相似，简述如下：
固体放电管两面的构造基本上是相同的。在运用中两个极都有加高电位的可能性。在剖析作业原理时，假定A接高电位，K接低电位，该器材的特性曲线，能够把导通与阻断的过程分为四个阶段。
1)阻断区：图2中的0到VBR段。
此刻器材所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，J2起到了阻挡电流的效果。外加电压几乎都加在了J2上，由于漏电流很小，固态放电管电阻很大，故称为阻断区。
2)雪崩区：VBR到VBO段
所加电压从VBR逐渐增加到VBO时，J2的空间电荷区内的电场很强，区的宽度被拉得很宽，区内的载流子在满足强的电场效果下，产生了倍增效应，经过J2的载流子俄然增加，电流也俄然增大，这即是雪崩区。
3)负阻区：VBO到A段
当外加电压增加到大于VBO时由于雪崩效应而产生了很多的电子空穴对，此刻这些载流子在电场的强烈的抽取效果下，进入N2区，很多的电子与空穴因不能很快复合而别离堆集在N2区和P2区，因而使J2空间电荷区的电场减弱，降落在J2上的电压将降低，雪崩效应随之减弱，但外加电压并不变，这么加在其它结上的正偏压要增加，从而使经过J2的电流增大，于是，出现了电压不变而电流增加的负阻现象。
4)导通区：A到B段
雪崩效应，使J2空间电荷区越变越窄且由反偏变成了正偏，这么器材的阻抗变得很低，电流变得很大，于是器材由高阻的阻断状况，变成了低阻的导通状况，其伏安特性曲线类似于整流元件的正向特性。
从上述原理中能够看出，当外加电压低于VBR时，漏电流很小，处于断开状况。不影响被维护组件的正常作业。当外加电压大于VBO时，放电管很快进入导通状况，压降很小，起到了维护效果。外加电压去掉后，电流很快就降到低于维持电流IH，放电管自然恢复，回到断开状况。
综上所述，该器材的长处是导通电压小，几乎无热耗，可重复运用，能接受较大的冲击电流，呼应快，运用安全、可靠，其功能优于其它刹那间过压维护元器材。
